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【电力电子外传 07-IGBT 绝缘栅双极晶体管】工作原理|结构与符号|转移特性与输出特性曲线|擎住效应
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IGBT!未来可期! 本集要介绍最后一种电力电子器件:IGBT,绝缘栅双极晶体管,Insulated Gate Bipolar Transistor。 →工作原理 IGBT是一种将MOSFET和晶体管结合而成的复合器件,具有MOSFET驱动功率小,驱动电路简单的特点,也兼顾了晶体管通流能力很强、耐压高的优势。 →结构与符号 N沟道IGBT与P沟道IGBT;器件分类总结 →IGBT的特性 (1)转移特性:与MOSFET类似,是当集电极和发射极之间电压一定的前提下,集电极电流Ic与栅极G-射极E之间的电压Uge的关系。当控制电压Uge小于开启电压的时候,IGBT处于截止状态,而当控制电压大于开启电压的时候,IGBT导通。 (2)输出特性:与GTR类似,是当栅极-射极之间的控制电压一定的前提下,集电极电流Ic与集电极-发射极之间的电压Uce之间的关系,又分为饱和区、正向阻断区和有源区。 (3)擎住效应:寄生晶体管使IGBT具有自锁效应,即当集电极电流过大(静态擎住效应)或集电极C和发射极E之间的电压变化率过大(动态擎住效应)时,晶体管之间由于强烈的正反馈作用,进入饱和状态而维持导通,IGBT的栅极失去控制作用。 IGBT是一种未来可期的电力电子器件,全球的市场规模不断扩大,我国的高端IGBT制造业也正在快速发展中,并在智能电网、电动汽车、高铁等领域得到了越来越多的应用。 喜欢本期视频,记得给韩小鹅一键三连哦!
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