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对GAN射频器件的纳米级空间分辨率和高时间分辨率的热成像表征技术
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主讲人: Dr. Peter Aaen① , Dr. Ali Shakouri② ① Colorado School of Mines 电气工程系教授,系主任 ②Microsanj LLC联合创始人, Birck纳米技术中心主任,普渡大学电气工程教授 视频介绍了对GaN HEMT器件的纳米级热源的实验结果。实验利用反射率热成像技术研究了有源器件的瞬态温度分布,最终将lock-in技术与先进的图像处理技术相结合,实现了 100-200nm 空间分辨率。 可以帮助与会者更好地了解先进的热表征和建模技术,以及如何使用这些技术验证热模型、检测设计和工艺缺陷、优化性能和可靠性,增强FA分析手段等。
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