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20240529-湖南大学段曦东-二维半导体异质结、多异质结、异质结阵列和超晶格的合成
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【集成电路的飞速发展给摩尔定律带来了极大的挑战,为了解决这个挑战人们提出了很多方案。其中发展新一代半导体取代问题日益严重的硅基半导体是一个基本的策略。二维半导体由于原子级薄、表面原子级光滑、无悬空键,天然免疫短沟道效应等特征,被认为是取代硅基半导体的下一代半导体的有力候选者。与三维半导体一样,二维半导体要取得很好的应用,需要对其化学组分和电子结构的空间分布进行调控,也就是制备二维半导体异质结、多异质结、异质结阵列、和超晶格。针对二维材料原子级薄,巨大的长厚比的几何特征,通过发展新的合成原理和技术,克服二维材料面内生长和面外生长的竞争、生长与热刻蚀的竞争、成核随机不可控、异质结界面易合金化等挑战,控制合成二维材料过程中的成核和生长,我们实现了二维半导体异质结、多异质结、异质结阵列、超晶格的合成。这些工作为二维材料物性研究和在器件、集成电路中的应用提供了丰富的材料平台,推动了二维材料在芯片等行业的实用化进程】
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