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CMOS工艺
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对于硅而言,硅外延生长技术开始的时候,真是硅高频大功率晶体管制做遇见困难的时刻。从晶体管原理来看,要获得高频大功率,必须做到集电区击穿电压要高,串联电阻要小,即饱和压降要小。前者要求集电区材料电阻率要高,而后者要求集电区材料电阻率要低,两省互相矛盾。如果采用集电极区材料厚度减薄的方式来减少串联电阻,会使硅片太薄易碎,无法加工,若降低材料的电阻率,又与第一个要求矛盾,而外延技术的发展则成功地解决了这一困难。
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