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半导体集成电路(第4单元)--基本数字集成电路-期末高效复习课
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总结出的半导体集成电路第4单元(基本数字集成电路)的主要问题,助你期末复习不迷路,高效复习! 1.CMOS反相器的实际电压传输特性曲线与理想曲线有何区别?如何绘制?开关阈值如何定义?如何计算或设计?噪声容限如何定义? 2.CMOS反相器的负载集总电容由哪些部分构成,如何估算?上升时间、下降时间、延迟时间如何定义?延迟时间如何估算?CMOS反相器构成的环形振荡器的振荡频率如何计算? 3.CMOS反相器的功耗包含哪些部分?各部分功耗如何估算? 4.如何通过MOS管的串/并联实现逻辑与非、或非功能?如何实现 CMOS两输入或非门、与非门电路?CMOS复合逻辑门的电路拓扑 如何设计?上拉网络与下拉网络的对偶关系如何理解? 5.双稳态电路如何实现逻辑状态的存储?有哪些典型的双稳态电路? 高/低电平透明的锁存器如何实现?如何组合高/低电平透明的锁存器 实现正/负沿触发的触发器?不同锁存器和触发器的时序图是什么样? 6.半导体存储器有哪些基本要求?可以分为哪些种类?包括哪些主要 部分?SRAM和DRAM的存储单元分别是什么?存储逻辑状态的原理有何不同? 7. 超大规模集成电路设计包括哪些内容?VLSI设计实现策略有哪些? “自顶向下”与“自底向上”设计的含义和设计过程是什么? 8. “自顶向下”设计包括哪些主要阶段?各阶段完成什么任务? 9. 硬件描述语言的主要作用是什么?使用硬件描述语言设计电路有哪 些优点? 10. 集成电路设计过程中的验证包括哪些内容?时序验证的方式有哪些? 各方式有什么特点? 11. 形式验证的原理是什么?
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