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鱼和熊掌全都要?揭秘纳微GeneSiC沟槽辅助平面栅技术!
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平面栅MOSFETs和沟槽栅MOSFETs作为两种常见的SiC MOSFETs,前者结构简单、可制性强,而性能有限;后者性能更强,但可靠性低且工艺复杂。怎样才能获得可靠性和可制性兼具的SiC MOSFETs呢?答案是将两者结合—纳微GeneSiC独有的沟槽辅助平面栅技术,兼备了两种MOSFETs的优点:如平面栅MOSFETs般器件结构简单以及可靠性和鲁棒性,同时又具有沟槽栅低Rsp以及开关损耗低的特性!怎么做到的?请听纳微两位博士为大家娓娓道来!
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