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【半导体】半导体材料电子特性第一性原理研究
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Ga2O3被公认为一种越来越重要的超宽带隙材料,由于其优异的性能,在半导体领域的应用前景广阔。本次讲座主要包含以下内容: 通过使用PBE和杂化泛函的VASP计算来探索Ga2O3的结构和电子性质 基于金属-半导体界面处肖特基势垒高度(SBH)的第一性原理计算 能带对准方法和硫掺杂Si/NiSi2的SBH改性
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