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制裁下,华为纳米芯片光速突破,震碎美国老头和专家们一脸(结尾附精彩评论翻译 中英文 双语)
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华为、中芯国际和SiCarrier已经为开发3纳米级芯片的新工艺申请了专利。 当华为“蛮力”使用四重图案构建5纳米芯片时,行业专家感到震惊;现在,该公司及其合作伙伴通过构建 3 纳米芯片进一步改进了他们的应用。 资源和链接: 汤姆的硬件,中芯国际和华为可以对中国制造的5nm芯片使用四重图案:报告 https://www.tomshardware.com/tech-ind... Tom's Hardware,华为专利揭示了 3nm 级工艺技术计划——尽管受到美国制裁,中国仍继续前进 https://www.tomshardware.com/tech-ind... 彭博社、华为测试制造更先进芯片的蛮力方法 https://www.bloomberg.com/news/articl... SiCarrier的专利申请:一种自调准四方图案半导体器件和半导体器件的制造方法 https://patents.google.com/patent/WO2... 噩!中芯国际为华为打造无EUV的5nm芯片;铸造厂是世界第三大铸造厂 https://www.phonearena.com/news/smic-... 战略与国际研究中心,在芯片竞赛中,中国给华为方向盘:华为的新智能手机和半导体出口管制的未来 https://www.csis.org/analysis/chip-ra...
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