V
主页
基于瞻芯电子IVCR1401的碳化硅SiC和IGBT驱动电路PCB实战 BOOST升压电路 H桥 单相逆变 三相逆变 LLC谐振变换器 隔离芯片:ADUM22
发布人
基于瞻芯电子IVCR1401的碳化硅SiC和IGBT驱动电路PCB实战 BOOST升压电路 H桥 单相逆变 三相逆变 LLC谐振变换器 隔离芯片:ADUM226 π122u31 SI8621 CA-IS3721HS IVCR1401 35V 4A SiC和IGBT 8引脚集成负压偏置驱动器 是瞻芯电子一款4A单通道高速智能驱动器,能够高效,安全地驱动SiC MOSFET和IGBT。带有负压的驱动可以在高dv / dt下,提高抗米勒效应的噪声抑制能力。退饱和检测可提供有效的短路保护,并降低电源设备和系统元件损坏的风险。内置固定的200ns消隐时间,以防止因开关沿电流尖峰和噪声而过早被触发过流保护。可调节的正栅极驱动电压UVLO保护和固定的负偏置UVLO保护可确保可靠的栅极工作电压。当发生UVLO或过电流时,故障信号/FAULT变低电平并向系统发出警报。具有可选的热焊盘,低传播延迟和失配的驱动,使SiC MOSFET能够以数百kHz的频率开关。集成的负压生成和5V参考输出可最大程度地减少外部组件数量。它是工业界首款采用8引脚封装上,集成负压驱动、退饱和及可调节UVLO的SiC MOSFET和IGBT驱动器。 SiC MOSFET 驱动设计https://bbs.21ic.com/icview-1632770-1-1.html 碳化硅MOSFET作为新型高压大功率开关管,具有耐压高、开关速度快、导通电阻小、通流能力强的特点。目前主要产品集中在1200V/1700V,相比于传统的MOSFET具有非常大优势。半导体厂商Cree 生产的SiC器件在行业内具有代表性。 在功率电路中,驱动电路对于保证功率开关器件快速、可靠开通关断具有重要意义。 SiC MOSFET对驱动要求较髙, 主要体现在驱动电压和驱动速度上。一般Si器件的驱动电压范围为-20-20V,开启电压在2-5V,Si IGBT功率器件的驱动髙低电平采用15V/-5V,SiMOSFET的驱动髙低电平采用15V/0V,或者15V/-15V,而在此研究的SiCMOSFET,驱动电压范围为-6V-22V,虽然其开启电压只有2.7V,并且随温度升高而减小,但只有当驱动电压达到18~20V时,才能完全开通。故常规Si功率器件的驱动电路不能直接驱动SiCMOSFET,其驱动条件如下:(1)18~20V的驱动电压。足够高的驱动电压才能使SiCMOSFET完全开通,减小其导通损耗;(2)负压关断,加快关断速度,并且防止栅极振荡引起的误开通;(3)提供栅极有源箝位电路,防止较大的开关速度导致栅极电阻上的压降引起误开通;(4)驱动回路寄生电感足够小,减小栅极振荡。Cree生产的二代SiC MOSFET 推荐驱动电压为20V/-5V,其提供了单管的驱动电路解决方案,具体的参考文档可以参考附件。 驱动电路的主要由隔离电源、光耦、驱动构成。驱动器选用IXDN609,峰值电流9A,能够保证开管断快速开通关断。驱动电阻在开通和关断时阻值不同,开通时大,关断时小,使管子具有更快的开通速度。隔离电源选用的是一个出正负12V,一个出5V,将电源串联,则驱动高电平为24V,低电平为-5V。光耦采用射极跟随器供电,供电电压为17.3V左右。整个驱动电路的原理相对简单,思路比较清晰。与普通MOSFET相比主要的区别在于驱动电压。 在上述官方参考电路中,采用两个隔离电源模块,占用较多的地方。如果能够使用一个隔离电源模块,则能够大大缩小驱动电路尺寸。幸运的是,金升阳推出QA01C驱动模块(技术文档见附件),输出20V/-4V,专门用于SiC驱动。在官方参考的基础上,采用QA01C替代电源模块,设计了一款SiC驱动器,专门用于驱动SiC MOSFET,如下图2,3所示。PCB板尺寸为35mm*18mm,非常紧凑。采用紧凑的设计能够极大的降低驱动环路的寄生电感,减少开关波形的震荡。 用其驱动1200V/19A SiCMOSFET C2M0160120D。驱动波形如下图4,5,6所示,在连接时采用开尔文连接,尽量减少驱动环路的电感。从图中可以看出开关管的上升/关断时间都约为20nS,开关非常快,能够有效减少开关损耗。一般理论上SiCMOS是0V关断,但在实际应用设计上,建议在设计驱动电压时采用负压关断,一般取-4V左右,确保SIC的有效完全关断,不会因为微弱的干扰信号而误触发门极。 Littelfuse的1200V/80mΩ的SIC MOSFET,负压绝对值范围是-6V,在300ns内能承受-10V。 Littelfuse的Sic MOSFET驱动关断电压是可以实现0V的,但是市场上应用时,基于防止误导通和同样正压情况下驱动负压越低开通损耗也是越低的,故负压设计一般会选择-3V~-5V之间。
打开封面
下载高清视频
观看高清视频
视频下载器
碳化硅SiC数据手册 碳化硅SiC驱动电路 碳化硅SiC负电压驱动电路 隔离/非隔离 瞻芯电子IVCR1401 IGBT 氮化镓GaN NMOS
NMOS 氮化镓GaN 碳化硅SiC IGBT 三极管栅极阻尼电阻Rg的计算,以英诺赛科INN650D02 氮化镓为例
碳化硅SiC驱动电路 短路保护电路,特斯拉MODEL 3 SIC并联驱动电路,瞻芯电子IVCR1401详解,碳化硅SiC并联驱动 英诺赛科氮化镓并联
LLC谐振控制器2(半桥/全桥)基于STM32 STC与EG2104的LLC DC/DC变换器设计 (隔离/非隔离,开环/闭环) TEA1916T
IGBT数据手册解读-20240916-1200
LLC谐振控制器(半桥/全桥) 基于TEA1916T的240W LLC AC/DC 转换器 TEA19162 TEA1995 UCC25600 ICE2HS0
开源三相维也纳整流PFC电路,三相维也纳器 基于 Vienna 整流器的三相功率因数校正电路 电动汽车车载电源和充电桩电路方案 高功率三相功率因数校正 维也纳整
NMOS栅极驱动电阻Rg阻值和功率的计算,NMOS栅极驱动电阻Rg的作用,如何防止NMOS误开通 单片机直接驱动NMOS的方法 RLC谐振电路 智能车BLDC
LLC谐振变换器6(降压型)计算器用法 MPS公司在线LLC计算器用法 LLC高频变压器设计
单相光伏并网,微芯110V /220V单相交流光伏并网参考设计,220Vac Grid-Connected Solar Microinverter Design
栅极驱动器栅极电阻的取值计算,栅极电阻功率的计算,栅极驱动器参数计算,峰值拉电流和峰值灌电流 逆变电路容易烧NMOS的原因,EG2104 EG3112,长江大学
直流无刷电机BLDC,FOC,2022年全国大学生智能汽车竞赛,STC8H,灵动微电子(MindMotion) MM32SPIN27PS,MM32F3277G9
开源EG1164原理图与PCB第一部分,地表最强BOOST升压芯片 屹晶微电子EG1164 EG1162 EG1163 EG1163S 2023年电赛必备
EG1162 EG1163 EG1163S 电赛必备最具性价比的同步整流BUCK降压控制器 取代睿登RD6006数控开关可调电源直流稳压电源的方案 对比德州仪器
开关电源开关频率与电感的关系电感的模型、参数与PCB设计 开关电源中电感的重要参数自谐振频率 基于STM32F334单片机与英诺赛科氮化镓的数控电源设计 高速氮
120W氮化镓快充设计,高频变压器设计方法与步骤,东科DK065G氮化镓反激电路设计,东科DK025G DK036G DK045G DK065G,氮化镓合封反激
三相光伏并网,三相并网光伏逆变器 三相微电网并网 LCL滤波器计算与设计 三相三线共模电感 三相四线共模电感
无所不能的LLC谐振控制器,LLC谐振变换器,800V电动汽车LLC充电电路,万物皆可LLC 半桥LLC,全桥LLC,副边LLC,长江大学,唐老师讲电赛
什么是IGBT
英诺赛科氮化镓GaN贴片转直插PCB设计 以英诺赛科INN650D02为例贴片转TO220 TO247,氮化镓驱动电路设计
推挽电源原边控制器,金升阳SCM1212BTA 源特科技VPS8504 VPS8505 德州仪器SN6501 SN6505 SN6507自激振荡式开环推挽
开源英诺赛科氮化镓智能汽车PCB INN100LA12,INN100W12 H桥(EG2104+氮化镓)与直流无刷电机BLDC( EG3112+氮化镓) 第三代
开关电源PCB设计最高机密,高频电流环路 高di/dt环路 高dv/dt节点,高频电流环路(含电感的不是,电感上的电流是连续的)BUCK降压电路
直流无刷电机BLDC,2022年全国大学生智能汽车竞赛,英飞凌TC264 , TC212 ,TC377 , TC364,STC8H,灵动微电子MM32SPIN2
双向逆变电源设计,EG8026 无桥PFC+SPWM双向逆变器,EG1615 谐振型双向有源桥(DAB)控制,户外电源技术的天花板,隔离型双向DCDC变换器
400W LLC电源原理图分析Part 1
户外电源方案对比,1、电小二户外电源400 2、卡旺达600W户外电源 3、NITECORE奈特科尔500W便携户外电源NES500 4、BULL公牛600W
开源2W隔离电源PCB 源特科技VPS8504B VPS8504C VPS8505金升阳SCM1212BTA 德州仪器TI:SN6505 SN6501
开关电源PCB设计 轻松秒杀——尽可能降低高di/dt回路(高频电流回路)的面积,与FB相连的两个电阻越靠近FB引脚越好,FB覆盖面积越小越好。走线细而短。
开源血氧仪,基于CW32L系列MCU的指夹式血氧仪,基于武汉芯源半导体出品的CW32L系列低功耗MCU,实现指夹式血氧仪产品设计CW32L031C8T6长江大学
开源大疆无人机同款电调PCB,开源STM32G431CBU6官方电调,开源PAC5223电调,德州仪器TMS320F28027,大疆悟Inspire3,四旋翼
开源JW3510反激电源PCB设计,最简单的反激式开关电源 无光耦与TL431反激式隔离电源 JOULWATT/杰华特JW3510 JW3510 ,LT8300
LLC谐振变换器7 计算器使用方法 MPS公司在线LLC计算器用法 LLC谐振控制器参数计算
开源TPS63060原理图与PCB、TPS63060升降压芯片介绍、2022年大学生电子设计竞赛,UCC28019,UC3842,TPS7A49
高难度开关电源PCB设计TPS54302 TPS54202 TPS562201 TPS562200 TPS563200 TPS563201 MP2307
LLC谐振变换器3 谐振电容与高频变压器计算宝典 一学就会,全网最简单
跟着大厂学画PCB_8—深圳屹晶 纯正弦波逆变器:EG8010 EG8030 栅极驱动芯片:EG2104(IR2104)EG2113(IR2110 低压氮化镓
磁保持继电器控制电路设计,电磁继电器控制电路 2023电赛必备,2022电赛,NPN三极管,NMOS,松乐继电器,汇科继电器,SRD-05VDC,HK4100F
美国卫星制导炸弹电路分析,卫星制导炮弹拆解,卫星制导火箭弹,GPS制导炸弹数据写入电路分析,美国海马斯火箭炮 ,精确制导炮弹神剑M982,M777火炮
实战降压芯片做升压与升降压,开源矽力杰SY8113降压芯片做升压与升降压原理图与PCB,SY8120 SY8201,开关电源,电源大师,长江大学,硬件工程师