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每日一题半导体器件物理34
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通过晶体管电流的正温度效应分析电流随温度的变化
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第4讲 欧姆接触
微电子器件原理第3讲 PN结引言
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功率半导体器件第2讲
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微电子器件原理第15讲概说晶体管
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微电子器件原理第27讲大注入效应
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微电子器件原理第25讲晶体管的击穿电压
第21讲晶闸管开通特性
微课堂系列功率半导体器件损坏机理第2讲过电压失效
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微电子器件原理第34讲
第12讲pin二极管通态压降
第8讲-PiN二极管反向阻断特性及设计
微电子器件原理第4讲平衡PN结空间电荷区的形成
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微电子器件原理第29讲发射极电流集边效应
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微电子器件原理35讲交流基区输运系数
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微电子器件原理第11讲PN结击穿2
微电子器件原理第5讲突变PN结空间电荷区的分析
微电子器件原理第30讲晶体管最大耗散功率
霞课堂之微课堂系列GDMOSFET第3讲GD-MOSFET的电荷耦合原理及阻断电压
每日一题半导体器件物理13
微电子器件原理第6讲平衡的p-n结能带与载流子分布
第15讲 概述晶闸管
微电子器件原理第19讲缓变基区晶体管电流放大系数