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未来SiC MOSFET的趋势|EV中SiC器件的功率损耗|从400V到800V|SiC器件-模块-系统
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未来SiC MOSFET的趋势|EV中SiC器件的功率损耗|从400V到800V|SiC器件-模块-系统 cr.鴻海研究院-李坤彥 教授《Trend of SiC power MOSFETs in the future》
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