半导体器件物理_击穿特性、亚阈特性、短沟效应、按比例缩小、寄生效应、复习与考试说明
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MOS器件物理基础
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【半导体器件基础-上-物理部分】上海科技大学
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【半导体器件】—课程学习汇报总结（pn结++BJT+MOSFET）
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半导体物理（p型n型半导体的形成、pn结基本概念输运现象、空间电荷区耗尽区形成与分析、热平衡pn结能带图、pn结接触电势差、反偏下pn结电场电势分布结击穿
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华东师范大学《半导体器件原理与仿真设计》如果对你有帮助，记得收藏、点赞、投币支持一下哦！！
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MOSFET工作原理
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【公开课】半导体器件原理I - 香港科技大学 -（英文授课，中英字幕，Principle of Semiconductor Devices Part I）
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半导体物理（载流子浓度的计算、热平衡状态下的本征半导体中有关计算，如电中性条件、本征费米能级）
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【半导体物理与器件】
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Short Channel Effects Vth Roll Off and Drain Induced Barrier Lowering
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半导体器件物理-青岛大学杨振宇主讲-课本施敏版
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【丝滑讲解】清晰易懂MOS管，增强/耗尽/夹断/沟道全部搞定
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半导体器件物理复习课
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半导体器件物理快速入门52MOSFET的阈值电压
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半导体物理与器件原理 - 复旦大学
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《半导体物理与器件》-西安邮电大学吕淑媛
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【半导体器件】—7min搞懂MOSFET的击穿特性（漏源击穿+栅源击穿）
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半导体器件原理6
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【公开课】半导体器件物理II - 西安电子科技大学微电子学院
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半导体物理（短沟道阈值电压模型中的电荷分享，短沟道效应对阈值电压的影响详细计算过程）
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【半导体器件原理】亚阈值摆幅
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【高清】-半导体物理-复旦大学蒋玉龙
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半导体器件物理1-2（复试自用）
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【半导体器件】—MOSFET的饱和区特性（有效沟道长度调制效应和漏沟静电反馈效应）
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半导体器件物理-高清-复旦大学蒋玉龙老师
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原来，22nm指的是沟道