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3.10 异质结
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3.1半导体概念和能带概述
3.9 pn结的能带图
5.7 异质结光电二极管
5.1 pn结光电二极管原理
3.5 pn结原理
3.11 发光二极管(LED):基本原理
3.4 直接带隙和间接带隙半导体:E-k能带图
4.10 异质结半导体激光器
4.11 量子阱半导体激光器
3.17 荧光粉和白光LED
3.13 LED材料和结构
3.6 pn结反向电流
1.2折射率和色散
3.12 量子阱高亮LED
5.3 吸收系数和光电探测材料
4.9 半导体激光器原理
1.9时间相干性和空间相干性
3.3非本征半导体
5.8 肖特基结光电探测器
2.8渐变折射率光纤
5.4 量子效率和响应度
1.10波的叠加和干涉
5.9 光电晶体管
1.7增透膜和介质镜
2.4数值孔径
3.2半导体的统计分布
1.1均匀介质中光的波动性
4.3 掺铒光纤放大器
2.6色散位移光纤和色散补偿
3.14 LED的效率和光通量
1.3群速度和群折射率
1.5斯涅耳定律和全反射(TIR)
4.15-17 垂直腔面发射激光器、半导体光放大器、超辐射LED和谐振腔LED
3.7 pn结动态电阻
2.5单模光纤中的色散
2.9光纤的衰减损耗
5.6雪崩光电二极管
3.15 LED基本特性
1.11多波干涉和光学谐振腔
5.10 光电导探测器