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【CIE云讲堂】|0922| 西安电子科技大学周弘:超宽禁带半导体氧化镓功率器件研制进展与思考
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报告题目:超宽禁带半导体氧化镓功率器件研制进展与思考 报告关键词:超宽禁带半导体、氧化镓、功率器件 报告摘要:超宽禁带半导体氧化镓兼具高击穿场强、较好电子迁移率与低成本大尺寸熔融衬底,被认为是下一代电力电子器件最有力的竞争者,未来在大功率和超大功率电力转换、光伏发电、机车牵引等方面具有广泛的应用前景。尽管氧化镓功率器件理论特性较好,然而其电流密度较低、耐压较差、发热严重,极大的限制了氧化镓的发展。同时,其超宽禁带和氧化物的天然特性决定了其p型掺杂较难,进一步限制了其在电力电子方面的大规模推广与应用。该报告着重介绍了氧化镓功率器件新结构的探索过程、有效的散热方案与p型掺杂问题的解决途径,同时报告了首个氧化镓3kV/6kV/8kV功率二极管和首个3 kV氧化镓JFET的研制过程,以及如何通过空穴超注入现象实现氧化镓功率器件国际最高功率优值的机理。希望该报告能为从事新型功率器件的老师与同学提供些许研究新思路。 嘉宾简介:周弘,1990年12月生,西安电子科技大学教授,博士生导师,入选国家青年高层次人才计划以及获批优秀青年基金项目。周博士近10年来先后师从IEEE和APS Fellow普渡大学杰出教授叶培德、美国工程院院士/美国科学奖章获得者胡正明教授以及中国科学院院士郝跃教授。一直从事新型半导体功率器件和材料、微波器件以及逻辑器件的结构、工艺与机理研究,包括宽禁带半导体GaN肖特基二极管(SBD)与高电子迁移率晶体管(HEMT),超宽禁带半导体β-Ga2O3和AlN SBDs与FETs等微波功率与电力电子器件,Si、InGaAs 亚10 nm节点的NC-FinFET、GAA。周博士主持科技部重点研发计划课题以及科技委项目等5项。在国际主流期刊和会议上发表学术论文100余篇,其中ESI高被引论文5篇。以第一或通讯作者在领域顶级期刊包括Nat. Comm.、IEEE EDL、IEEE TED、IEEE TPE、IEEE TIE、APL等期刊上发表论文50余篇;以第一作者在半导体领域顶级会议包括VLSI和DRC上发表会议论文20余篇;研究成果被国际知名行业杂志《Compound Semiconductor》《Semiconductor Today》《Controlled Environment》《Nano werk》《Physorg.com》等近10余次报道,在国际会议做特邀报告或口头报告15次,Google学术引用超过3000次。
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