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文献汇报交流:高频(200kHz)高压(10kV)固态脉冲源的MOSFET栅极驱动电路设计
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2023年3月16日,生物电课题组文献汇报,报告人:中科大21级硕士研究生朱凯(电子工程方向),文献题目:MOSFET Gate Driver Circuit Design for High Repetitive (200 kHz) High Voltage (10 kV) Solid-State Pulsed-Power Modulator 作者:Hyun-Bin Jo; Seung-Ho Song; Seung-Hee Lee; Hong-Je Ryoo; 发表期刊:IEEE Transactions on Power Electronics ( Volume: 36, Issue: 9, September 2021) 摘要机器翻译: 固态脉冲功率调制器可以有效地产生高重复率的脉冲,这在工艺速率取决于重复率的应用中是必需的,例如,等离子源离子植入和沉积、等离子体浸入式离子研磨和类金刚石碳涂层。在这篇文章中,开发了一个用于产生高重复脉冲的固态脉冲功率调制器。有源下拉电路和设计的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)栅极驱动器被应用于调制器而不增加其尺寸。驱动器实现了快速的上升和下降时间,并使脉冲宽度最小化,这对高重复率的脉冲应用是有效的。开发的调制器表现出最大输出脉冲电压为±10 kV,最大输出脉冲电流为50 A,脉冲宽度在200 ns和10 us之间,最大脉冲重复率为200 kHz,平均输出功率为10 kW。对所设计的MOSFET栅极驱动器的工作原理进行了详细的分析。实验结果表明,该调制器在10kV和200kHz的高重复率下稳定运行,并验证了该拟议电路在高重复率下运行的可行性。
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