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碳化硅功率器件特性分析与驱动设计挑战2
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碳化硅基功率器件是半导体器件的新兴研究热点,与传统Si基功率器件相比,碳化硅基功率器件具有更低的导通电阻、更快的开关速度和更高的结温承受能力,因此将碳化硅基功率器件应用于变换器中可以提高变换器效率、开关频率,降低无源器件的体积、重量,提高功率密度。但传统Si基器件的驱动设计不能直接应用于碳化硅器件,碳化硅器件驱动存在诸多挑战需要解决,包括: ① 驱动电压和驱动电阻的选择; ② 隔离供电电源和隔离芯片的要求; ③ 传输延迟时间和控制死区时间; ④ 高du/dt引发的桥臂串扰和密勒箝位保护; ⑤ 高di/dt引发的电压尖峰和抑制方法; ⑥ 碳化硅器件的短路特性和去饱和保护电路的优化。 视频来自电源网直播频道:https://www.dianyuan.com/live/
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