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台积电3nmN3P制程即将投产:半导体行业迎来性能与效率的双重飞跃
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台积电的N3P制程是N3E的光学微缩版,相较于N3E,N3P在性能效率和晶体管密度上都有所提升。在相同漏电情况下,N3P制程能提高约4%的性能,或在相同时钟频率下将功耗降低约9%。此外,N3P的晶体管密度也提高了4%,这将使得芯片设计更为紧凑,性能更强大。 良品率是衡量半导体制造工艺成熟度的重要指标。根据台积电的报告,N3E的D0缺陷密度与N5相当,显示出与旧节点在其生命周期中同一点的缺陷率相匹配的优异表现。而N3P的良率表现也已经接近N3E,这意味着N3P制程在质量和可靠性方面已经达到了一个相当高的水准,为即将到来的量产打下了坚实的基础。
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