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密度泛函理论DFT的应用-03-界面的建模及其能带的第一性原理计算-以超晶格InAsGaSb为例【于博微课】
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材料计算实验任务: (一)课堂作业题 (1)构建简单的界面结构 :超晶格InAs/GaSb的3D建模 (2)分析结构变化对性能的影响:超晶格InAs/GaSb的能带计算(MS+VASP) (二)课后思考题 (1)构建简单的界面结构 :ML_Graphene/h-BN的2D建模 (2)分析结构变化对性能的影响:ML_Graphene/h-BN的能带计算(MS)
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