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京东 11.11 红包
英诺赛科国产650V GaN FET,超百兆开关频率,零反向恢复损耗
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英诺赛科AE杜工主要介绍650V国产GaN器件:INN650DA04、INN650D260AINN650DA260A、INN650D150A、INN650D150A,其Rdson从150mΩ~480mΩ,电流能力从5A到15A,封装QFN5*6及QFN8*8,Qg低至0.33nC、Qrr=0、MHz的开关频率都远超SiMOS性能,并且介绍了驱动电路设计及PCBLayout建议,同时为不同功率需求的PD快充设计提供对应的设计方案。 世强硬创新产品研讨会联合全球顶级原厂发布创新产品和最新技术,助力工程师掌握最新技术和产品,加速研发项目进度。最新日程及免费报名https://www.sekorm.com/s/Wc67
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