骁龙8Gen4，流片成功! 双超大核CPU设计，台积电三纳米工艺，全自研架构，全面革新 !

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9月7日消息，据数码闲聊站爆料，骁龙8Gen4，现已正式流片，采用全套自研架构，二超大核加六大核的CPU架构设计，以及台积电三纳米工艺。
此外，联发科与台积电今日共同宣布，联发科首款采用台积电 3nm 制程生产的天玑旗舰芯片开发进度十分顺利，日前已成功流片，联发科表示，其首款采用台积电 3nm 制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市。
——据介绍，台积电公司的 3nm 制程技术不仅为高性能计算和移动应用提供完整的平台支持，还拥有更强化的性能、功耗以及良率。相较于 5nm 制程，台积电 3nm 制程技术的逻辑密度增加约 60 %，在相同功耗下速度提升 18 %，或者在相同速度下功耗降低 32%。
“MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程生产的天玑旗舰芯片日前已成功流片，预计将在明年量产。长期以来，MediaTek 与台积公司保持紧密且深度的战略合作关系，双方充分发挥各自在芯片设计和制造方面的独特优势，共同打造拥有高性能、低功耗特性的高能效旗舰芯片，赋能全球终端设备。MediaTek 首款采用台积公司 3 纳米制程的天玑旗舰芯片将于 2024 年下半年上市，为新世代终端设备注入强大实力，引领用户体验迈向新篇章。”
骁龙 8 Gen 3方面，根据此前爆料汇总如下：
❶【骁龙 8 Gen 3For Galaxy•高频版】
◇ 编号：SM8650-AC；
◇ 制成工艺：台积电N4P
◇ CPU：采用1×3.3GHz±*X4 超大核(样片主频最高3.7Ghz）+3×3.15GHz*A720+2×2.96GHz*A720+2×2.27GHz*A520”核心配置，（骁龙 8 Gen 2：1+4+3）
——单核提升约 11.4%，多核提升约 26.3%。
◇ GPU：Adreno 750
◇ 三级缓存：10MB（骁龙 8 Gen 2：8MB）
——具体规格配置基于，Geekbench 6平台，三星 Galaxy S24 Plus现有跑分，如下图所示：
对比，此前收录的三星 Galaxy S23 Plus，骁龙 8 Gen 2，跑分可以看出，骁龙 8 Gen 3，单核提升约 11.4%，多核提升约 26.3%。
❷【骁龙 8 Gen 3标准款】
◇ 型号：SM8650-AB；
◇ 制成工艺：台积电N4P；
◇ CPU：采用1×3.19GHz±*X4 超大核(样片主频最高3.7Ghz）+5×2.96GHz*A720+2×2.27GHz*A520”核心配置，（骁龙 8 Gen 2：1+4+3）；
◇ GPU：Adreno 750；
◇ 三级缓存：10MB（骁龙 8 Gen 2：8MB）
◇ 标准款CPU跑分：GB5（单核1700±/多核6600±）／GB6 （单核2200±/多核7000±）
◇ 标准款GPU跑分：GFX ES3.1•280FPS±（骁龙 8 Gen 2：220FPS±）
——测试平台红魔9。
◇ 发布日期：高通已经宣布了 2023 年 Snapdragon 峰会，将于 10 月 24 日至 26 日举行，预计将发布全新的骁龙 8 Gen 3 芯片。
5 月 29 日消息，Arm 公司今天发布了 2023 年的移动处理器核心设计：Cortex-X4、A720 和 A520。
——以上核心基于 Arm v9.2 架构，仅支持 64 位指令集，不再兼容 32 位应用。
【Cortex-X4超大核】
◇ 定位旗舰，相较前代的 X3 核心性能平均提高了 15%，同频功耗降低了 40% ！
◇ 物理尺寸 进一步增加，但不足10%。 
◇ L2 缓存大小来到2MB，进一步提高实际性能收益。
◇ IPC 改进平均为 +13%。
◇ 算术逻辑单元 (ALU) 从 6 个增加到 8 个，添加了一个额外的分支单元（总共 3 个），添加了一个额外的乘法累加器单元，以及流水线浮点和平方根运算。
【Cortex-A720性能核】
◇ 相较前代 A715 相同的功率下，核心的效率提高 20%。
◇ 同屏性能提高15%，极限性能提升4.5%。
◇ 缩短流水线长度，优化分支预测，以及流水化了浮点除法和平方根运算。
【Cortex-A520能效核】
◇ 相较前代 A510 核心在相同性能下，运行效率提升 22%。
◇ 极限性能提高8%
◇ A520 核心采用合并核架构，可以在一个复合体中共享 L2 缓存、L2 转换后备缓冲区和向量数据通路。A520 核心在前端也优化了分支预测，并移除或缩减了一些性能特性。

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