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37-有限长中性区的处理续
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半导体物理与器件物理系列视频第三十七课《有限长中性区的处理续》。
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36-有限长中性区的处理
67-BJT的电流特性续
33-PN结正向偏置电流
45-MOS电容积累模式
38-扩散电容
52-MOSFET阈值电压
53-MOSFET的IV特性
47-MOS电容反型模式
29-PN结的电场
44-MOS电容
69-准费米能级
13-电子密度的计算
35-PN结反向饱和电流计算
63-异质结的能带图
58-MOSFET的栅电容
39-扩散电容实例
54-MOSFET的体效应
30-PN结耗尽区宽度
55-MOSFET的电容
62-PN结定律
12-有效质量
15-半导体掺杂
17-平衡态载流子
51-MOSFET三端结构
49-MOS电容能带图续
60-肖特基结的能带图
16-半导体掺杂续
14-空穴密度的计算
70-费米积分
56-MOSFET的重叠电容
5-态密度的推导
41-扩散电阻
22-产生与复合
71-布洛赫定理
8-费米分布函数的推导
18-漂移运动
46-MOS电容耗尽模式
64-双极型晶体管介绍
61-肖特基结的耗尽区
1-半导体物理与器件物理介绍