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【快速学习】利用高功率GaN FET改进电池储能系统
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与Dilder一起探索电池储能系统BESS的两种主要拓扑结构:交流耦合系统和直流耦合系统。一同探讨两种拓扑结构的复杂性,深入理解二者将如何连接电网以及如何管理电能转换和存储。 GaN FET晶体管电子迁移率高、开关损耗低,可显著提高功率密度和效率,在宽温度范围内提供出色性能。 了解有关BESS和功率GaN FET的更多信息:nexperia.cn
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