2021基本创新日 | 基本半导体碳化硅系列新品重磅发布
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基本创新日 | 2021中欧第三代半导体高峰论坛在深圳成功举行
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十分钟速通碳化硅：中国已攻克沟槽技术，行业格局有望改写？
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SiC科普小课堂 | 平面栅和沟槽栅结构的MOSFET及其RDS(on)的构成
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开启“芯”征程！基本半导体车规级碳化硅芯片产线正式通线！
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2023基本创新日成功举办 碳化硅年度新品震撼发布
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半导体新人对秋招的感悟
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9.09 高频王者 vs 耐压先锋：三代半导体材料氮化镓与碳化硅
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SiC科普小课堂 | 碳化硅MOSFET的RDS(on)的构成情况
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基本半导体碳化硅功率模块装车测试发车仪式
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炸裂，中国造出第一台光刻机
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上海微电子公布，7nm EUV光刻专利
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基本半导体碳化硅模块装车测试发车仪式
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电气牛马失业第27天，参加无锡半导体发展创新大会，开拓视野
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SiC科普小课堂 | 什么是MOSFET的漂移区及体二极管？
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SiC科普小课堂 | 什么是MOSFET沟道，什么是反型层？
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SiC科普小课堂 | 碳化硅MOSFET在TO-247-3和TO-247-4封装中开关过程的比较
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SiC科普小课堂 | MOSFET的RDS(on)的主要贡献者是什么？
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【广州地铁】全线网唯一碳化硅列车上线！03x195196碳化硅实验车上线实录.
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2800点保卫战？别再自欺欺人了！
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我国突破沟槽碳化硅芯片制造技术，打破平面芯片性能“天花板”
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韩媒：韩国已被中国超越，差距只会越来越大
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SiC科普小课堂 | 谈混合式IGBT——硅FRD的正向恢复现象会增大IGBT的关断电压尖峰
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重磅利好，央妈放大招！
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韩国自曝，除了半导体，中国全方位超越韩国！
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SiC科普小课堂 | 什么是米勒钳位？为什么碳化硅MOSFET特别需要米勒钳位？
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SiC科普小课堂 | MOSFET的漂移区如何承载电压？
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SiC科普小课堂 | 谈混合式IGBT的应用场景及基本半导体的相应产品推荐
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光刻机突破，东大闷声发大财
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技术里程牌：英飞凌开发全球首项300 mm氮化镓功率半导体晶圆技术
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真成了“美积电”！台积电美国工厂4nm晶圆试产成功：与中国台湾本土生产良率基本相当！
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SiC科普小课堂 | 什么是MOS结构，什么是FET，MOSFET的分类？
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13薪，不在乎空窗期，空窗期往届生可投！22周全薪产假，12周全薪陪产假，内部定制礼品
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SiC科普小课堂 | 横向导电和垂直导电的MOSFET结构
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半导体fab厂女工程师的下班生活|看片 感悟 吃饭 最近已经在放年假了，有在好好放松自己
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“惟创新者进，惟创新者强，惟创新者胜”
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材料专业起飞了
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CES海外青年云讲堂/李成敏/荷兰埃因霍温理工大学/报告题目：大功率碳化硅器件驱动、保护及系统集成
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台积电，给美国吃了一颗定心丸，4nm良率媲美台湾工厂
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SiC科普小课堂 | 碳化硅肖特基二极管的额定电流是如何定义出来的？
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不吹不黑，这次官宣的国产光刻机真做不到8纳米！