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实验五:施加偏置后的PN结
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课题组自行开发的半导体器件虚拟仿真实验平台,这是其中的虚拟仿真实验五:施加偏置后的PN结。
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69-准费米能级
61-肖特基结的耗尽区
实验三:平衡态下的PN结(一)
60-肖特基结的能带图
30-PN结耗尽区宽度
63-异质结的能带图
实验二:载流子的迁移率
55-MOSFET的电容
45-MOS电容积累模式
64-双极型晶体管介绍
33-PN结正向偏置电流
57-MOSFET的源漏电容
44-MOS电容
[中英畅享][section 39] PN结二极管电阻推导(个人认为最透彻的半导体物理)
52-MOSFET阈值电压
49-MOS电容能带图续
47-MOS电容反型模式
35-PN结反向饱和电流计算
48-MOS电容能带图
71-布洛赫定理
38-扩散电容
50-MOS施加偏置后的能带图
70-费米积分
59-MOSFET的栅电容续
18-漂移运动
43-单边PN结
58-MOSFET的栅电容
51-MOSFET三端结构
56-MOSFET的重叠电容
65-BJT的学习目标
34-PN结正向偏置电流续
14-空穴密度的计算
53-MOSFET的IV特性
霞课堂之深话浅说击穿与击穿电压
66-BJT的电流特性
27-PN结介绍
9-能带初步
54-MOSFET的体效应
19-漂移电流
41-扩散电阻