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9-能带初步
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半导体物理与器件物理系列视频第九课《能带初步》。 需要说明一下,本视频是伯克利大学Jordan Edmunds的视频的汉化版本,UP主重新进行了剪辑和配音。
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10-能带初步续
44-MOS电容
45-MOS电容积累模式
63-异质结的能带图
28-PN结能带图
38-扩散电容
29-PN结的电场
69-准费米能级
35-PN结反向饱和电流计算
5-态密度的推导
50-MOS施加偏置后的能带图
46-MOS电容耗尽模式
60-肖特基结的能带图
52-MOSFET阈值电压
2-量子力学初步
21-扩散电流
19-漂移电流
51-MOSFET三端结构
6-态密度的推导续
7-费米分布函数
59-MOSFET的栅电容续
实验一:硅晶体的能带
58-MOSFET的栅电容
8-费米分布函数的推导
13-电子密度的计算
55-MOSFET的电容
71-布洛赫定理
39-扩散电容实例
70-费米积分
16-半导体掺杂续
42-小信号模型
18-漂移运动
67-BJT的电流特性续
61-肖特基结的耗尽区
半导体物理第四章 4.1载流子的散射与迁移率
15-半导体掺杂
598:三年了,国产光刻机搞定没?我们已经实现半导体的自主可控
34-PN结正向偏置电流续
40-耗尽电容
37-有限长中性区的处理续