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英飞凌碳化硅可靠性测试有多可靠?【英家必修课】
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SiC MOSFET 因材料独特的物理特性,会出现与Si器件不同的衰减特性,因此原有的硅基IGBT的可靠性测试项目并不能完全涵盖碳化硅器件的需求。因此,英飞凌开发了针对SiC MOSFET的独有可靠性测试标准,包括500kHz开关频率下进行栅极应力测试(GSS),交流-湿度和温度循环试验(即AC-HTC)。更多信息可访问英飞凌官微和英飞凌工业半导体公众号~
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