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科学家成功改进等离子体深硅刻蚀技术,将晶圆微纳技术提至10nm级别
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随着对更高性能、更小尺寸芯片的追求,刻蚀技术的发展对半导体制造尤为关键。它不仅决定了芯片上晶体管的尺寸和布局,还影响着整个电子设备的性能。 而近期,西北农林科技大学本硕校友、德国布伦瑞克工业大学博士毕业生徐久帅和所在团队,为等离子体深硅刻蚀技术带来新的突破。他们不仅揭示了低温深硅刻蚀纳米结构的动态平衡机理,还成功将晶圆级的高深宽复杂微纳加工技术提升到了10纳米级别。
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