2.2 III-V化合物杂质能级；2.3缺陷
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3-4二次量子化III
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2-1 硅和锗的杂质能级（下）
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1-7 III-V化合物半导体
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1.4 空穴
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1-2 半导体中的电子与能带
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5-2 非平衡载流子的寿命
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3-4 杂质半导体载流子浓度
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1-3 有效质量
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5-3 准费米能级
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5-1 非平衡载流子
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3-4 杂质半导体载流子浓度（下）
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1-4 正规子群与商群
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4-1 载流子漂移运动与迁移率
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1-1 群的定义
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1.1 晶体结构与结合形式
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1-3 共轭与类
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1-4晶体分类
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13-3 电声子相互作用
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3-2二次量子化
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2-4 矩阵表示的构造
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1-5 回旋共振-2021-8-24 15:46:24
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3-1 态密度
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1-4 同态与同构
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5-1磁振子
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4-3声学支&光学支
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4-4横波&纵波
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2-3 矩阵表示的正交性
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1-5 群的直积与半直积
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4-1声子
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13-2 Ginzburg-Landau theory
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11-1 Anderson model
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3-3二次量子化II
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14-2 Cooper pair
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12-2 t-J model I
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14-1 BCS Hamiltonian
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14-3 BCS theory I
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15-1 BCS ground state
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5-2.1 Heisenberg model
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8-1 Free fermions