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2.2 III-V化合物杂质能级;2.3缺陷
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2.2 III-V化合物杂质能级;2.3缺陷
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3-4二次量子化III
2-1 硅和锗的杂质能级(下)
1-7 III-V化合物半导体
1.4 空穴
1-2 半导体中的电子与能带
5-2 非平衡载流子的寿命
3-4 杂质半导体载流子浓度
1-3 有效质量
5-3 准费米能级
5-1 非平衡载流子
3-4 杂质半导体载流子浓度(下)
1-4 正规子群与商群
4-1 载流子漂移运动与迁移率
1-1 群的定义
1.1 晶体结构与结合形式
1-3 共轭与类
1-4晶体分类
13-3 电声子相互作用
3-2二次量子化
2-4 矩阵表示的构造
1-5 回旋共振-2021-8-24 15:46:24
3-1 态密度
1-4 同态与同构
5-1磁振子
4-3声学支&光学支
4-4横波&纵波
2-3 矩阵表示的正交性
1-5 群的直积与半直积
4-1声子
13-2 Ginzburg-Landau theory
11-1 Anderson model
3-3二次量子化II
14-2 Cooper pair
12-2 t-J model I
14-1 BCS Hamiltonian
14-3 BCS theory I
15-1 BCS ground state
5-2.1 Heisenberg model
8-1 Free fermions