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1-7 III-V化合物半导体
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1-7 III-V化合物半导体 第一章复习
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1-6 硅和锗的能带结构
4.3;4.4 迁移率,电阻率
3-4二次量子化III
1-2 半导体中的电子与能带
3-4 杂质半导体载流子浓度
2.3 第二章习题
2.2 III-V化合物杂质能级;2.3缺陷
1.4 空穴
3-3 本征半导体载流子浓度
5-1 非平衡载流子
3-1 态密度
2-1 硅和锗的杂质能级(上)
3-5 一般情况载流子浓度
1.1 晶体结构与结合形式
3-2 费米能级和载流子的统计分布
13-3 电声子相互作用
3-2二次量子化
4-1声子
2-1 群的幺正矩阵表示
2-4 矩阵表示的构造
5-1磁振子
4-1 载流子漂移运动与迁移率
4-4横波&纵波
1-2 子群与陪集
1-3 共轭与类
2-3 矩阵表示的正交性
量子物理_贝尔不等式
3-3二次量子化II
1-1 群表
2-2声子比热
2-2 舒尔引理逆定理
【日常口语1000句—第十一集】每天听力一小时,越听越清,坚持三个月听懂美国人
1-4晶体分类
4-3声学支&光学支
九年级上学期数学经典真题,圆与概率的综合,要将概率转化为面积
14-3 BCS theory I
13-2 Ginzburg-Landau theory
1-3对称性