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Ep20 Semiconductor Engineering 半導體製程與整合(共36集)台灣清華大學吳永俊教授!此影片僅供教學非營利使用!
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https://www.youtube.com/watch?v=01uLzl6WaMs&list=PLUw9obN1dChw8yD6zMoU3mZRRQ6cS_Lfy&index=22 今天是2021年12月27日，第3章是第十课。上次录音失败了，软件更新的录音也失败了。我们从第69页重新开始。我们需要高k，随着尺寸变小，多晶硅问题变得明显。金属氧化物高k材料和金属氧化物铪酸盐的接口比传统多晶硅好。金属栅的制造过程称为栅后，需要记住。高k和金属栅都使用原子层沉积技术(ALD)，但成本较高。半导体行业因为性能更好而不再害怕昂贵。 EOT概念是等效氧化物厚度，使用高k材料可以增加其等效物理厚度。金属栅由Intel于2005年提出，Nmetal和Pmetal分别代表与N多晶硅和P多晶硅接近的金属材料。选择高k和金属栅材料时，需要考虑其导带和价带绝缘体的带隙匹配。 金属栅极与高k材料在半导体器件中的应用 2021年12月27日，第三章第十课。 金属栅极替代多晶硅栅极，解决了器件尺寸减小导致的问题。 使用金属氧化物哈氏铪酸盐替代传统多晶硅材料，提高了器件性能。 晶体管制程演变及其关键步骤 传统多晶硅栅方法 使用ALD制作高k金属栅 虚拟栅用于源漏极注入和活化 高k金属栅极的发展历程和重要性 纯粹用作牺牲品。 早期采用高k金属栅极的发展历程。 重要原始文件的购买对学生的重要性。 半导体行业的重要性和EOT概念 半导体行业的重要性在于性能，价格上涨是因为效率是前提。 EOT概念涉及高k材料，用于克服物理规律，保持电容量和厚度固定。 高k材料的选择和应用 使用高k材料减小栅漏电流 EOT概念及应用 HfO2和ZrO2的电性能比较 金属栅极和高k材料的应用 使用高k材料增加等效物理厚度以减轻直接隧道效应。 金属栅极的提出和不同金属的应用以调整关键电压。 金属工作函数的调整对数字电路中的关键电压控制至关重要。 金属材料的特性和调整 科学家逐渐发现金属材料的特性。 N金属和P金属的特性及调整。 使用TiAl和TiN等金属来调整金属特性。
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