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Ep10 Semiconductor Engineering 半導體製程與整合(共36集)台灣清華大學吳永俊教授!此影片僅供教學非營利使用!
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https://www.youtube.com/watch?v=CiUms3rtWBk&list=PLUw9obN1dChw8yD6zMoU3mZRRQ6cS_Lfy&index=12 这是一堂关于半导体工艺和集成的课程，涵盖了化学气相沉积、等离子增强化学气相沉积和原子层沉积等技术。讲解了化学气相沉积和热生长氧化的区别，以及后续工艺中使用的CVD技术。还介绍了ALD技术以及其在高介电层和金属栅中的应用。此外，还提到了ALD的自限制反应和其在半导体行业中的重要性。视频中还强调了学生之间的合作和互助的重要性。 化学气相沉积技术及其应用 介绍化学气相沉积技术及其应用 比较化学气相沉积和热生长氧化过程 讨论CVD技术在生长金属方面的应用 化学气相沉积技术及应用 浸蚀和沉积是化学气相沉积的关键步骤。 量子点的制备及应用广泛，如三星量子点电视。 低压化学气相沉积(LPCVD)是目前主流，质量更优。 半导体工艺中的金属沉积和薄膜制备 LP质量好，但需考虑热预算问题。 PECVD适用于金属间绝缘层，温度低，不要求质量，只需绝缘。 金属沉积主要包括PVD和CVD，其中PVD的主流是溅射。 半导体金属化过程和常用金属 氩等离子体击中目标金属，如铝，沉积在晶圆上。 常用金属包括Ti、Al、Ta等，用于半导体制造。 金属沉积主要通过溅射，而铜只能电镀。 电化学反应和ALD技术在半导体制造中的重要性 通过电化学反应进行电镀铜，但铜只能通过电镀方式 ALD技术在纳米时代尤为重要，可用于生长介电层和金属 ALD具有自限制反应，可精确生长所需材料，如Hf氧化物 原子层沉积(ALD)的工作原理和应用 TiAl的简单介绍和反应循环 ALD与CVD的区别以及在半导体工业中的重要性 ALD在前端工艺中的广泛应用和精确性要求 半导体技术总结 研究需使用先进仪器，制造更先进产品。 ALD和ALE技术的详细解释和应用。 半导体技术概述，包括氧化硅、电镀铜、单晶生长等过程。 金属工艺处理和合金过程的关键步骤 金属密度较高。 金属氧化层处理后类似退火。 合金过程中加热处理，提高金属性能。
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华中科技大学一周讲完半导体工艺教程，整整200集，全程干货无废话，学完即可上岗，这还学不会，我退出机械圈！
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