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Ep25 Semiconductor Engineering 半導體製程與整合(共36集)台灣清華大學吳永俊教授!此影片僅供教學非營利使用!
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https://www.youtube.com/watch?v=ZJ0jITBvREw&list=PLUw9obN1dChw8yD6zMoU3mZRRQ6cS_Lfy&index=27 这是一堂关于半导体制程和整合的课程，主要讲解ULSI和一些先进制造工艺，包括速度饱和迁移率、应力硅锗工程、接触电阻和硅化物等内容。视频中还讨论了电子和空穴在晶体平面方向上的迁移率差异，以及新材料取代硅的可能性。同时强调了表面缺陷对组件迁移率的影响，以及三五族材料在未来的潜在应用。 深入讲解ULSI和先进制造工艺，重点介绍晶体中的散射和迁移率计算 今天是2021年12月2日，第四章首次线下上课。 讲解ULSI和先进制造工艺，详细介绍晶体中的散射和迁移率计算。 介绍晶体中的散射类型，包括声子散射和杂质散射，以及迁移率的计算公式。 IBM和Intel的半导体研究历史及重要性 在线课堂无法复制黑板内容，手写速度慢。 IBM和Intel在2011年分开，之前都是IDM工厂。 IBM在设计方面专注，将晶圆厂交给Global foundry和TSMC。 电场对电子迁移率的影响及表面散射的重要性 电场对速度无影响，但会影响电子受力 电子迁移率与电场呈线性关系，表面散射对迁移率影响巨大 电子迁移率受库仑、声子和表面散射影响，表面散射最为重要 减少表面缺陷对器件性能的重要性 移动性的价值在于最终达到速度饱和。 在FinFET组件中，表面散射主导，表面处理至关重要。 晶面方向与载流子移动率密切相关，(100)晶面上电子移动率最高。 2D MOSFET和3D FinFET的移动性差异及其影响 我们主要使用(100)面，因为接口缺陷相对较少。 2D MOSFET和3D FinFET的移动性差异在于平面移动值和三维加权平均。 3D FinFET中的孔迁移率非常接近电子迁移率，而不再是以前的一半。 创造力与想象力的重要性以及新材料对硅的挑战 绘图对于深入思考和创造力的重要性。 印度学生背诵圆周率的能力与记忆力的对比。 新材料对硅基设备的挑战和未来发展方向。
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