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晶圆研磨与抛光
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晶圆研磨及抛光制程决定晶圆最终厚度及表面粗糙度,研磨主要是将晶圆通过背面打磨使厚度控制在能接受的范围内;抛光目的在于改善前制程所留下的微缺陷,提高晶圆平坦度,让微粒不易附着。在研磨过程中,晶圆片的厚薄度,也会影响IC片最后的完成度。CMP 通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除,从而达到晶圆表面的高度(纳米级)平坦化效应,使下一步的光刻工艺得以进行。
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