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PN Junction Electric Field Profile
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https://www.youtube.com/watch?v=h5qLpyraT9M&list=PLQms29D1RqeKGBEW8La2a7YuN5_4pSV4k&index=29 在上一个视频中,我们讨论了PN结的电场剖面和内建电位VBI的概念,通过一些假设和数学推导,我们可以找到电场的强度和耗尽区域的宽度,并且在下一个视频中将得到电场和耗尽宽度的闭合表达式。 PN结的内建电势和电场强度 PN结具有内建电势VBI,电子和空穴需要克服它才能跨越结区 电场引起内建电势,假设结区突变,计算VBI PN结电场和电荷密度关系的图解 P侧浓度与N侧浓度的关系 Vbi的计算和电场关系 高斯定律和电场的积分计算 电场和电压之间的关系 负电荷到正电荷时电场开始增加 电场在离开耗尽区域后应恢复为零 通过图形表示电场和电压之间的关系 电场和耗尽宽度的计算过程 抛物线过渡点太陡,从正向抛物线到负向抛物线。 能带图中的能量是电压的负值,不同于电场。 下一个视频将评估积分并得到电场和耗尽宽度的闭合表达式。
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费米能级怎么学校老师都讲不通啊!!!!咱们讨论一下
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[預告片] Ep1 Semiconductor Engineering 半導體製程與整合(共36集)台灣清華大學吳永俊教授!此影片僅供教學非營利使用!