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MOS Capacitor Explained
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https://www.youtube.com/watch?v=UNr6cAwYmuY&list=PLQms29D1RqeKGBEW8La2a7YuN5_4pSV4k&index=44 这段视频讲解了MOS电容器的工作原理,通过施加不同电压来改变半导体的导电性质,从而实现电子的导通和阻断,进入不同的工作模式。视频中详细解释了MOS电容器在耗尽模式和反转模式下的工作原理,以及当施加不同电压时半导体的带隙结构变化。 MOS电容器和MOSFET的重要性 MOS电容器是MOSFET的重要组成部分 了解MOS电容器有助于理解MOSFET的工作原理 当施加电压时,会在p型半导体材料中产生电场 MOSFET器件的耗尽模式和带图解析 电场导致形成耗尽区域 形成耗尽区域的机制 通过带图分析MOSFET器件的工作模式 氧化物对半导体的影响及MOSFET的带图解析 氧化物附近的半导体带图类似于本征半导体 本征半导体带图中没有自由载流子 MOSFET在耗尽模式下的带图及电压影响 半导体器件的弯曲和耗尽区域增长 随着电压增加,我们预期半导体器件会弯曲。 耗尽区域的宽度取决于反向偏置电压的平方根。 当Fermi能量高于内禀能量时,n型半导体在边缘形成耗尽区域。 MOSFET操作模式及场效应概述 倒置模式是将P型材料转变为N型材料,进入倒置模式。 当施加电压时,形成漏电区,最终吸引负电子,这是MOSFET操作的关键。
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