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16-金属层1
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基于VR的集成电路设计、制造与测试虚拟仿真实验 崔岩松-北京邮电大学
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19-金属层2
2.6.8 CMOS三态门
12-侧墙工艺
18-通孔1工艺
3-反相器版图Layout
17-IMD1工艺1
4-版图寄生参数后仿真
1-反相器电路原理图设计
6-光刻对准
5-晶圆清洗
10-多晶硅栅
20-IMD2工艺
2-反相器功能仿真
24-封装工艺
22-顶层金属
23-钝化层工艺
11-LDD注入
25-芯片测试
7-双阱工艺
21-通孔2工艺
13-源漏注入
8-LOCOC隔离
15-接触孔工艺
14-ILD工艺
9-阈值注入
重难点:CMOS器件非本征电容的计算
cadence virtuso入门
模拟集成电路设计4-完美(带偏置电路的)共源放大器设计
MOSFET工作原理1,VGS的作用(上)
26-提交报告
模拟集成电路设计7-高增益共源放大器设计
2.3.5 三态门(TS门)
2.6.5 CMOS与或非门
重难点:CMOS器件本征电容Cgs的计算
模拟集成电路设计5-gm/id设计方法简介
1.2 逻辑代数基础
模拟集成电路设计6-使用gmid设计方法设计共源放大器
2.6.3&2.6.4 CMOS与非门、或非门
2.6.2 CMOS非门
2.6.6&2.6.7 CMOS漏极开路与非门电路(OD与非门)、CMOS传输门(TG)及模拟开关