16-金属层1
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19-金属层2
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2.6.8 CMOS三态门
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12-侧墙工艺
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18-通孔1工艺
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3-反相器版图Layout
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17-IMD1工艺1
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4-版图寄生参数后仿真
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1-反相器电路原理图设计
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6-光刻对准
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5-晶圆清洗
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10-多晶硅栅
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20-IMD2工艺
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2-反相器功能仿真
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24-封装工艺
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22-顶层金属
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23-钝化层工艺
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11-LDD注入
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25-芯片测试
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7-双阱工艺
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21-通孔2工艺
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13-源漏注入
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8-LOCOC隔离
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15-接触孔工艺
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14-ILD工艺
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9-阈值注入
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重难点：CMOS器件非本征电容的计算
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cadence virtuso入门
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模拟集成电路设计4-完美(带偏置电路的)共源放大器设计
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MOSFET工作原理1，VGS的作用（上）
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26-提交报告
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模拟集成电路设计7-高增益共源放大器设计
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2.3.5 三态门（TS门）
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2.6.5 CMOS与或非门
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重难点：CMOS器件本征电容Cgs的计算
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模拟集成电路设计5-gm/id设计方法简介
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1.2 逻辑代数基础
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模拟集成电路设计6-使用gmid设计方法设计共源放大器
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2.6.3&2.6.4 CMOS与非门、或非门
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2.6.2 CMOS非门
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2.6.6&2.6.7 CMOS漏极开路与非门电路（OD与非门）、CMOS传输门（TG）及模拟开关