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11-LDD注入
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基于VR的集成电路设计、制造与测试虚拟仿真实验 崔岩松-北京邮电大学
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3-反相器版图Layout
8-LOCOC隔离
26-提交报告
13-源漏注入
5-晶圆清洗
16-金属层1
23-钝化层工艺
14-ILD工艺
21-通孔2工艺
18-通孔1工艺
20-IMD2工艺
9-阈值注入
17-IMD1工艺1
7-双阱工艺
4-版图寄生参数后仿真
cadence virtuso入门
10-多晶硅栅
12-侧墙工艺
2.6.8 CMOS三态门
25-芯片测试
6-光刻对准
24-封装工艺
19-金属层2
2-反相器功能仿真
2.3.5 三态门(TS门)
MOSFET工作原理2,VGS的作用(下)
重难点:CMOS器件非本征电容的计算
1-反相器电路原理图设计
MOSFET工作原理1,VGS的作用(上)
22-顶层金属
15-接触孔工艺
大二电科学生手搓充电宝PCB
2.6.3&2.6.4 CMOS与非门、或非门
2.6.6&2.6.7 CMOS漏极开路与非门电路(OD与非门)、CMOS传输门(TG)及模拟开关
晶体管(MOS器件)特性仿真之本征截至频率(FT)---------------Cadence Virtuoso Spectre
模拟集成电路设计4-完美(带偏置电路的)共源放大器设计
台风下,复旦大学南区体育馆房顶被掀飞
电路中VCC,VDD, VSS, VEE, GND这些符号的含义
2.6.5 CMOS与或非门
亚采样锁相环设计实战