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[搬运生肉]日本新一代功率半导体材料氧化镓介绍
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https://www.youtube.com/ β-Ga2O3是一种有着超宽禁带的半导体材料,其有着宽禁带、高临界击穿电场、低导通电阻等优良特性,是一种制备功率半导体器件之理想材料。
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