为什么冲锋衣能挡雨？表面能-surface energy
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晶体中电子的能带-energy band of electron in the crystal
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金半接触-metal-semiconductor contacts
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CMOS制作工艺流程-1. Isolation
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集成电路版图设计-layout design 1 - CAD
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SiGe-Heterojunction 硅锗合金异质结在BJT中的应用
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功率MOSFET
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CMOS制作工艺流程-3. contact/metallization
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集成电路版图设计- layout design 2 - design model
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(补充) 肖特基二极管 Schottky barrier 欧姆接触 ohmic contact
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CMOS制作工艺流程-2.5. short-channel effect 短沟道效应
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半导体器件模型-1. compact models
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集成电路版图设计 - layout design - 3. design process
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CMOS制作工艺流程-2. Transistor
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MOSFET-场效应管 1-MIS电容
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CMOS制作工艺流程-6. SOI 如何优化衬底结构
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CMOS制作工艺流程-5. Scaling 微缩芯片尺寸时遇到的问题
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7.3 A 224Gbs 3pJb 40dB Insertion Loss Transceiver in 3nm FinFET CMOS
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7.18 细晶强化
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7.15 位错相互作用导致加工硬化（上）
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CMOS制作工艺流程-7.1. 半导体材料的性质
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3.2 A 0.028mm2 32MHz RC Frequency Reference in 0.18μm CMOS with ±900ppm Inaccura
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【全500集】北大大佬终于把化学做成动画片了，比人教版更简单！这都学不会真的没办法了!
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7.4 A A 0.027mm2 5.6-7.8GHz Ring-Oscillator-Based Ping-Pong Sampling PLL Scorin
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国货冲锋衣能突围吗？看看李宁CF溯新思路
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6.12 残余应力
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7.7 A 2.16pJb 112Gbs PAM-4 Transceiver with Time-Interleaved 2b3b ADCs and Unbal
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版图设计中的连接线 — 认识模拟版图
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Germanium-锗与其材料张应力-strain
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7.2 A 224Gbs sub pJb PAM-4 and PAM-6 DAC-Based Transmitter in 3nm FinFET
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入门模拟版图要学什么呢？
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7.2 真实应力和真实应变
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7.6 A 112Gbspin Single-Ended Crosstalk-Cancellation Transceiver with 31dB Loss C
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CMOS-process.7.2 MOSFET中SiGe合金的应用
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3.1 A PVT-Insensitive Sub-Ranging Current Reference Achieving 11.4ppm°C from -20
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电学材料-1. 共价键材料
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7.5 A 224Gbswire Single-Ended PAM-4 Transceiver Front-End with 29dB Equalization
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手把手标定面心立方、体心立方的孪晶电子衍射花样——中材数据分析网站重磅更新
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7.8 A 69.3fs Ring-Based Sampling-PLL Achieving 6.8GHz-14GHz and -54.4dBc Spurs U