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在38mM FeCl3中以500E-/Å2s的剂量率对负载有CTAB的金纳米棒进行蚀刻
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在38mM FeCl3中以500E-/Å2s的剂量率对负载有CTAB的金纳米棒进行蚀刻
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尖端带有半胱氨酸的金纳米棒在蚀刻时发生断裂
浙大《Nature》子刊新思路晶界调控金属纳米结构循环变形行为
在38mM FeCl3中以700E-/Å2s的剂量率对负载有CTAB的金纳米棒进行蚀刻的视频
在38mM FeCl3中以700E-/Å2s的剂量率对负载有PEG-烷硫醇的金纳米棒进行蚀刻
金纳米菱形十二面体蚀刻过程,FeCl3初始浓度为42 mM
燕山大学又发Nature正刊:重磅突破:高韧性金刚石复合材料
(a) 单个和 (b) 一对 Cu@Au 核壳纳米立方体(44.3-nm 核和 2.6-nm 壳)溶解的 TEM 视频。 电子剂量率为254 e/Å2·s。
沿[110]轴观察的两个Pd纳米晶体结合体的形状转变。电子剂量率为220电子/Å2·s。10.1007/s12274-019-2498-1
沿[110]轴观察的Pd纳米晶体的形状转变。电子剂量率为220电子/Å2·s。10.1007/s12274-019-2498-1
将Ag 纳米立方体通过原电池法使用Au对其中的Ag进行取代的视频,条件为70°C,1 mM HAuCl4,视频为实时记录。
超声喷涂前驱体溶液 - 制备钙钛矿太阳能电池的吸光层 - 驰飞超声波喷涂
张黎明-复旦大学-电催化表面化学
辐照过程中,剂量率为3.8E/(Å2s)的五个NP在不同时间的聚集图像doi/10.1021/acs.est.1c08415
催化剂/InAs纳米线在高与420℃下分解的动态TEM。
准液相中In核心的刻蚀过程,20 mg/mL InCl3. 剂量率: 904 e-·Å-2·s-1.
勃姆石纳米片即使在以2.5E/Å2s的剂量率暴露于电子束150 s后仍基本保持不变。10.1021/acs.est.1c08415
单个规则 Pd@Pt 立方体中蚀刻内部 Pd 原子的过程。10.1038/s41467-018-03372-z
电子束剂量增加到6.0E/(Å2s),纳米片沿两个方向不断溶解,最终消失10.1021/acs.est.1c08415
Au纳米粒子在另一段不同时间下的形态变化。
电子束剂量增加到4.5E/(Å2s),纳米片沿两个方向不断溶解,最终消失10.1021/acs.est.1c08415
在3M NaCl溶液中原位刻蚀五孪晶Pd纳米棒。电子剂量率:70个电子/Å2∙s、 视频播放速度比实时快4倍。10.1021/acs.jpcc.0c11200
浙大重磅Nature!揭开高熵合金的神秘面纱
H2O环境下CeO2–ZrO2纳米晶体原位刻蚀的LCTEM影片 doi/10.1021/jacs.9b09508
Na–O2/CO2–CNT纳米电池循环过程中形态演变的原位ADF影像。在时间分辨扫描透射电子显微镜-环形暗场图像中观察到了相同的现象。
在0.01M FeCl3溶液中五孪晶Pd纳米棒的宽视角原位蚀刻工艺。电子剂量率:46个电子/Å2∙s、 视频播放速度比实时快41倍。
原位TEM视频显示了在22°C下用3%(w/v)氢氧化钾水溶液和1%(v/v)异丙醇溶液混合物蚀刻Si纳米柱的蚀刻动力学。
原位TEM图像的时间序列。在T=23°C条件下,在具有图1B所示电极几何形状的液体电池内施加150秒长的+500 mV连续正电势期间镍的溶解过程
为什么电催化实验慎用Pt电极?
中南大学黄伯云院士团队本文通过反应熔融渗透和填充渗碳在C/C复合材料上设计和制造碳化物涂层。它在2000-3000度的温度下表现出优异的抗烧蚀性能 °C。
Pd纳米晶体在1.0mm Fe(acac)3中的蚀刻过程的视频,Pd纳米晶体的蚀刻减缓了。
Pt超晶格组装和对称性转化的原位液体TEM研究:两组有序纳米晶之间溶剂驱动的二维自组装六方超晶格过程。
在750°C的原位观察显示了原子在覆层中的波动横向运动,表明在粒子边缘正在进行的氧化还原过程。
法国 巴黎萨克雷大学 Anomalous slip in body-centred cubic metals体心立方金属中的异常滑移
浸没在1 mM纯水硝酸银溶液中的铂电极上银枝晶的生长和溶解;视频显示1个生长和溶解周期分别为-2 V和+2 V偏置电压
CeO2 NP在辐射水中的溶解过程所对应的HRTEM视频
该视频展示了高锰轻钢材料Fe-Mn-Al-C钢在塑性变形的早期阶段变化。
电化学阻抗数据分析 - Zview + DRT
邵敏华-香港科技大学-Development of High Performance and Durable Fuel Cell Electrocatalyst
原位 TEM 视频显示在 600 °C 下形成 NiSi2,这是由梯形硅化物反应合成 NiSi2。