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MOSFET IV Characteristics Derivation
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https://www.youtube.com/watch?v=QCIDcB034Eg&list=PLQms29D1RqeKGBEW8La2a7YuN5_4pSV4k&index=53 本视频讲解了MOSFET IV特性的推导过程,从长通道模型开始,详细解释了方程的来源和推导过程。通过简化模型和基本公式,得出了MOSFET的最终方程,希望观众能够理解和尝试推导这一过程。 MOSFET IV特性及长通道模型 视频将讨论MOSFET IV特性 长通道模型简单描述 MOSFET行为类似可变电容器 场效应晶体管模型推导 正电荷在栅极上堆积,导致通道看起来没有负电荷。 通过电容模型推导MOSFET的电流公式。 利用电场和迁移率计算电流,最终得到电流公式。 场效应晶体管电容公式简化 电容是根据平行板电容器的面积和介电常数计算的。 电场在通道中的计算基于电压和距离,简化了公式。 通过基本电磁学原理,电场等于电压除以距离。 金属氧化物半导体场效应晶体管的电流方程推导 VC是VS和VD之间的中点,基本电压分压器。 通过代数运算得到金属氧化物半导体场效应晶体管的最终电流方程。 推荐尝试自己推导,这是工程思维的基础。
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