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MOSFET Gate Capacitance Explained
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https://www.youtube.com/watch?v=M8F6-VMXQVE&list=PLQms29D1RqeKGBEW8La2a7YuN5_4pSV4k&index=58 本视频解释了MOSFET栅极电容,讲解了栅极电容的定义和计算方法。通过讨论栅极电容的构成和变化规律,深入理解了半导体器件中的电容特性。 MOSFET栅极电容的定义和计算 MOSFET栅极电容是由电子和空穴之间的分离距离决定的 栅极电容实际上由两个串联的电容器组成,分别位于金属和耗尽区之间 氧化物半导体界面的电容和电荷累积 在氧化物半导体界面和主体之间存在电容 两个串联电容会导致电荷累积 电容随着栅极电压增加而减小 MOSFET电容变化与电压关系 电荷之间的分离 电容随电压增大而减小 反转发生时电容达到最小值 栅极电容的计算和变化 漏化宽度与氧化物厚度的比较 解决最小值X D max的方法 下一个视频将讨论栅极电容的初始值和随电压增加的变化
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