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Continuity Equation Semiconductor Derivation Part 1
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https://www.youtube.com/watch?v=Gn2cFelZHdw&list=PLQms29D1RqeKGBEW8La2a7YuN5_4pSV4k&index=25 这段视频脚本讲解了半导体的连续方程的推导过程,包括电子和空穴的生成、复合以及电流对载流子浓度的影响。通过推导得到的连续方程可以描述载流子浓度随时间变化的情况,为后续的数学计算提供了基础。 连续方程的重要性和推导过程 连续方程是半导体系统中电荷载体移动和位置的信息 推导连续方程需要考虑电子和空穴浓度的变化过程 电子和空穴浓度必须连续,不能在同一材料中突然跳变 半导体中的电子和空穴浓度变化 这个切片的总空穴浓度P是关键 我们关心空穴数量随时间的变化 电流对空穴数量的影响也需要考虑 电子流密度方程简化 J P of X加Delta 完整的连续方程 将方程简化为更易理解的形式 完整的连续性方程 当ΔX趋近于零时,我们得到了整个导数的方程。 DP DT等于G减R,这是导数的定义。 在下一个视频中,我们将扩展JP项为扩散和漂移电流,并将所有内容转换为ΔP。
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