4.3非本征半导体
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4.1半导体中的载流子
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11.3光电探测器
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6.1载流子的产生和复合
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2.5能带结构/间接带隙半导体
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8.1.3理想pn结电流
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11.2太阳能电池
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9.1.1金属半导体-肖特基势垒
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6.6表面态
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7.1pn结基本结构，零偏
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4.3双电层结构理论模型
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6.3分子束外延生长
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4.4施主和受主的统计力学分布
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8.3小信号模型与等效电路
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5.1载流子的漂移运动
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2.3薛定谔波动方程的应用
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8.1.2pn结电流的边界条件与少子分布
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7.1形貌表征：SEM/TEM/AFM
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6.6蚀刻与金属化
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2.1量子力学基本原理与薛定谔方向
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2.1晶体
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5.2载流子扩散和杂志梯度分布
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3.1电极的极化和极化曲线
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4.1半导体太阳能电池
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4.5电中性状态
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透射电子显微镜：原理
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9.1.2电流电压关系
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3.1pn结
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5.4稳态电化学极化规律
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5.3电子转移步骤的基本动力学参数
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3.3金属半导体结
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扫描电镜四:能谱分析
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2.3能带-带隙-半导体
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2.7n/p型掺杂
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5.8封装测试
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3.2固体中的电传导
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1.3固体晶体学
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5.4产业链
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2.2晶格
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2.15扩散电流/爱因斯坦关系
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10.1.3低频共基电流增益与非理想效应