4.1半导体中的载流子
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9.1.1金属半导体-肖特基势垒
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6.1载流子的产生和复合
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2.1晶体
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2.11电导率和迁移率
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1.2半导体材料类型
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2.1量子力学基本原理与薛定谔方向
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8.2产生复合电流
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11.2太阳能电池
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7.2反偏 结击穿
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2.2晶格
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6.4准费米能级
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4.1半导体太阳能电池
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4.2掺杂原子和能级
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8.3小信号模型与等效电路
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9.1.2电流电压关系
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5.3电子转移步骤的基本动力学参数
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2.3薛定谔波动方程的应用
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6.3双极运输
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5.2载流子扩散和杂志梯度分布
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3.1pn结
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8.1.1pn结电流的定性分析
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6.3分子束外延生长
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10.1.1双极晶体管简介及其工作原理
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杂质半导体的载流子浓度（2）低温弱电离
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2.4电子和空穴/德布罗意关系
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5.2电极电位对电子转移步骤反应速度的影响
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4.4施主和受主的统计力学分布
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3.5统计力学
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3.4欧姆接触
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9.2欧姆接触
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扫描电镜一:概论及前沿
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25-北工大823-半导体物理初试分析
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2.12霍尔效应
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2.6有效质量
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2.1相间电位和电极电位
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1.4电解质的平均活度和平均活度因子
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2.9载流子浓度
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2.10热平衡和温度依赖
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11.1光学吸收
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6.5过剩载流子的复合寿命