7.1pn结基本结构，零偏
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5.1载流子的漂移运动
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2.1量子力学基本原理与薛定谔方向
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3.1允带和禁带
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3.1pn结
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11.3光电探测器
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6.3双极运输
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10.1.1双极晶体管简介及其工作原理
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4.4施主和受主的统计力学分布
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4.6费米能级的位置
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8.1.3理想pn结电流
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1.2半导体材料类型
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3.4状态密度函数
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11.2太阳能电池
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8.2产生复合电流
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6.2过剩载流子的性质
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1.4典型半导体材料结构、特征和材料生长
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10.2.1双端MOS结构
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3.5异质结
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2.4电子和空穴/德布罗意关系
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4.5电中性状态
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6.5光刻
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10.2.2MOSFET基本工作原理
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2.3薛定谔波动方程的应用
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5.2载流子扩散和杂志梯度分布
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3.2固体中的电传导
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12.5二次电池(锂离子电池)
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10.1.2少子的分布
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11.1电催化概述
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8.1电化学测试概述
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4.3发光二极管
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4.2光探测器
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4.1半导体太阳能电池
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8.3小信号模型与等效电路
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12.1化学电源概述
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3.8双极结型晶体管
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4.3双电层结构理论模型
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3.7金属氧化物半导体场效应晶体管-2
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6.4氧化/扩散/RTP/离子注入/蚀刻/金属化
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3.3三维拓展
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2.1相间电位和电极电位