5.4产业链
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4.1半导体中的载流子
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2.3能带-带隙-半导体
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6.2化学气相沉积
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6.1载流子的产生和复合
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1.2半导体材料类型
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2.5能带结构/间接带隙半导体
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2.1晶体
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半导体技术导论1.1绪论
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8.2产生复合电流
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9.1.1金属半导体-肖特基势垒
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11.2太阳能电池
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6.2过剩载流子的性质
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5.3电子转移步骤的基本动力学参数
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2.2晶格
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2.8费米能级
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7.1形貌表征：SEM/TEM/AFM
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2.1量子力学基本原理与薛定谔方向
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3.4欧姆接触
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6.3双极运输
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2.11电导率和迁移率
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8.1.3理想pn结电流
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8.1电化学测试概述
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7.1pn结基本结构，零偏
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3.1pn结
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扫描电镜一:概论及前沿
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11.1光学吸收
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9.1.2电流电压关系
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3.2偏压下的pn结
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4.3双电层结构理论模型
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12.1化学电源概述
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2.3薛定谔波动方程的应用
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5.5CMOS工艺
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8.3小信号模型与等效电路
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4.3发光二极管
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4.4施主和受主的统计力学分布
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5.1载流子的漂移运动
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5.1集成电路历史
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8.1.1pn结电流的定性分析
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2.16电流连续性方程
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5.8封装测试