11.1光学吸收
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9.1.2电流电压关系
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9.1.1金属半导体-肖特基势垒
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2.6有效质量
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8.1.1pn结电流的定性分析
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4.6费米能级的位置
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2.1量子力学基本原理与薛定谔方向
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1.4典型半导体材料结构、特征和材料生长
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11.2太阳能电池
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8.3小信号模型与等效电路
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3.3三维拓展
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6.6蚀刻与金属化
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7.2反偏 结击穿
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6.1载流子的产生和复合
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1.2半导体材料类型
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10.1.1双极晶体管简介及其工作原理
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6.3双极运输
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4.3双电层结构理论模型
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2.2薛定谔基本方程的求解
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2.3能带-带隙-半导体
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9.2欧姆接触
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荧光及紫外-可见光谱三：光的吸收
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3.1允带和禁带
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2.9载流子浓度
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2.7n/p型掺杂
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11.1电催化概述
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8.1.2pn结电流的边界条件与少子分布
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3.2偏压下的pn结
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6.4准费米能级
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10.2.2MOSFET基本工作原理
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12.3一次电池
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3.2电极过程
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2.10热平衡和温度依赖
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12.1化学电源概述
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2.16电流连续性方程
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13.1燃料电池概述
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3.3金属半导体结
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3.7金属氧化物半导体场效应晶体管-2
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5.3电子转移步骤的基本动力学参数
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台湾著名半导体芯片分析师乌凌翔:美国根本没有竞争力。美产芯片稳国安、丢订单、靠补贴！ 英特尔困境是美国自产半导体缩影？成本高无市场竞争力!
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1.5.3 图层模式