7.2反偏 结击穿
发布人
打开封面 下载高清视频 观看高清视频 视频下载器
...
11.3光电探测器
...
杂质半导体的载流子浓度（2）低温弱电离
...
杂质半导体的载流子浓度（4）过渡区、少数载流子浓度
...
6.6蚀刻与金属化
...
2.11电导率和迁移率
...
6.1载流子的产生和复合
...
10.1.1双极晶体管简介及其工作原理
...
6.3双极运输
...
6.2化学气相沉积
...
5.1载流子的漂移运动
...
3.5异质结
...
2.2晶格
...
2.1晶体
...
7.1形貌表征：SEM/TEM/AFM
...
6.3分子束外延生长
...
11.1光学吸收
...
6.4准费米能级
...
5.8封装测试
...
3.1pn结
...
3.2偏压下的pn结
...
4.3非本征半导体
...
6.1硅晶体生长和掺杂
...
3.4状态密度函数
...
6.4氧化/扩散/RTP/离子注入/蚀刻/金属化
...
7.2成分表征：XRD/XPS/AES/EDX/SIMS
...
10.1.2少子的分布
...
5.5CMOS工艺
...
3.4欧姆接触
...
1.3固体晶体学
...
2.5电位-pH图
...
3.3三维拓展
...
8.2控制电流阶跃暂态测试
...
9.4现代电沉积新技术
...
2.9载流子浓度
...
气体吸附分析三：氮气吸脱附分析原理
...
10.2.1双端MOS结构
...
6.1理想稳态扩散动力学规律
...
透射电子显微镜：原理
...
4.1电毛细曲线
...
8.1电化学测试概述