1.4典型半导体材料结构、特征和材料生长
发布人
打开封面 下载高清视频 观看高清视频 视频下载器
...
4.1半导体中的载流子
...
5.3电子转移步骤的基本动力学参数
...
5.1载流子的漂移运动
...
9.1.2电流电压关系
...
11.2太阳能电池
...
6.2化学气相沉积
...
2.1量子力学基本原理与薛定谔方向
...
5.1电极电位对电子转移步骤活化能的影响
...
6.4氧化/扩散/RTP/离子注入/蚀刻/金属化
...
2.1晶体
...
2.2晶格
...
4.2掺杂原子和能级
...
6.4准费米能级
...
6.6蚀刻与金属化
...
8.1.3理想pn结电流
...
2.2绝对电位和相对电位
...
4.3非本征半导体
...
8.1.1pn结电流的定性分析
...
2.2薛定谔基本方程的求解
...
8.1.2pn结电流的边界条件与少子分布
...
2.13受激辐射/受激跃迁/自发辐射
...
7.2反偏 结击穿
...
11.1电催化概述
...
4.5电中性状态
...
扫描电镜一:概论及前沿
...
半导体技术导论1.1绪论
...
2.7n/p型掺杂
...
12.5二次电池(锂离子电池)
...
9.4现代电沉积新技术
...
7.2成分表征：XRD/XPS/AES/EDX/SIMS
...
4.1半导体太阳能电池
...
3.1pn结
...
3.1允带和禁带
...
4.3发光二极管
...
11.2典型的电催化反应
...
3.4状态密度函数
...
6.5光刻
...
3.5统计力学
...
10.2.2MOSFET基本工作原理
...
透射电子显微镜二：TEM的结构展示